Photo lithography(포토리소그래피) 공정의 순서

Photo lithography(포토리소그래피) 공정의 순서

위의 그림은 포토리소그래피(photo lithography) 공정의 순서를 나타낸 것이다.


1. 세정(Cleaning)
가장 우선으로 기판을 세정해야한다. 기판 위에 이물질이 있으면 박막이 만들어질 때에 여러 가지 문제가 생긴다.

2. 증착(Deposition)
세정 후 그 위에 재료를 증착시킨다. 재료에 따라 증착하는 방법이 다양하다. 금속재료의 경우 주로 스퍼터링(Sputtering) 기법을 하고, 반도체나 절연막의 경우는 플라즈마화학증착(PECVD) 기법을 주로 이용한다.

3. 세정(Cleaning)
증착시킨 재료 위를 다시 깨끗하게 세정한다.

4. PR도표(PR Coating)
그 위에 포토레지스트(Photo Resist)를 코팅을 한다. 빛에 반응하는 감광성 고분자 물질인 이것을 사용하면 빛이 받는 부분과 안 받는 부분의 특성 차이를 이용해 부분적으로 모양을 만들어 줄 수가 있다.

5. 노광(Exposure)
포토레지스트에 빛을 가할 때에 원하는 모양으로 빛을 가하려면 빛을 모양에 따라 통과하지 못하게 막아주는 마스크가 필요하다. 그 마스크를 통해 빛을 부분별로 쪼여주는 것이 노광이다. 여기서 양각 포토레지스트와 음각 포토레지스트로 구분되는데 양각 포토레지스트는 빛을 쬐인 부분이 약해지는 것이고, 음각 포토레지스트는 빛을 쬐인 부분이 단단해지는 것을 말한다.

6. 현상(Develop)
자외선을 쬔 기판은 이제 특수 용액을 통해 현상 과정을 거칩니다. 이 과정에서 양각 포토레지스트의 빛 쬐인 부분이, 음각 포토레지스트의 빛 안 쬐인 부분이 이 과정에서 녹아내린다. 이를 통해 회로 패턴을 나타낸다.

7. 식각(Etch)
포토레지스트가 제거되어 드러난 재료를 에칭을 통해 제거한다.

8. PR 박리(PR Strip)
액체 감광제 스트리퍼, 산소플라즈마 시스템 안에서 감광제를 산화시키는 등의 방법으로 기판 위의 포토레지스트를 제거한다.

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