Chemical Vapor Deposition(CVD, 화학증착법)

Chemical Vapor Deposition(CVD, 화학증착법)

 CVD(Chemical Vapor Deposition)는 기판을 만들려는 물질이 기화되어 기판 표면에서 화학반응을 일으켜 고체 생성물인 박막을 얻는 공정이다. 물질이 기체 상태의 가스로 주입이 되고 확산을 통해 기판 위로 날라간다. 그 후 기판 표면에서 화학반응을 일으켜 박막이 생성된다. 화학반응 후 나오는 기체들을 확산을 통해 다시 빠져나간다. 

 약 1000℃ 정도의 고온에서 이루어진다. 이 방법은 접착력이 우수해 복잡한 형태의 기판에 사용이 가능하다. 또한 균일하게 증착이 되고 고순도 물질의 박막을 만들 수 있다. 또한 국부적인 증착도 가능해 자신의 원하는 기판의 부위에 박막을 만들 수 있다. 이러한 점들 덕분에 현재 반도체 제조법에서 가장 유용하게 쓰인다. 그리고 다양한 재료에 적용이 가능하고, 박막의 성분 조절이 가능하다. 하지만 단점으로는 코팅 반응에 대한 접착기판의 안정도를 고려해야 한다. 또한 기판과 증착하려는 물질간의 열팽창계수 차이를 고려해야한다. 그리고 부산물의 독성과 부식성을 해결하는데 비용이 많이 든다.



PVD 관련 자료 링크
Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법
Thermal Evaporator(열진공증착법)
Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법)

CVD 관련 자료 링크

Chemical Vapor Deposition(CVD, 화학증착법)

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