Materials in Life

Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법)  Electronic-Beam Evaporator(E-Beam  진공증착법 ) 은  Electronic-Beam을 이용하여 증발원을 가열시켜 증착시키는 방법이다.  기판을 만들려는 물질의 용융점이 넓은 경우에 많이 사용된다 .  용융점이 넓은 물질로는  W, Nb, Si 가 있다 .  장점으로는 물질 표면만 용해가 일어나므로 효율이 높고 오염이 적다 .  또한 용융점이 높은 금속에 적합하다 .  그리고 전자빔의 세기가 강하면 증착되는 속도가 빨라진다는 것이고, 다른 증착법과 비교해   높은 순도 박막이 만들어진다는 것이다 .  단점으로는  X-ray 가 발생한다는 것과 와류와 방전이 심하다는 것이다 .  Electronic-Beam Evaporator의 증착 순서는 우선 필라멘트(주로 W로 되어있음)에 강한 전류를 공급한다 . 그러면 필라멘트에서 전자 빔이 나오기 시작한다. 필라멘트에서 나오는  전자 빔을 전자석에 의한 자기장으로 유도하고 ,  증착하려는 물질에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착시키려는 물질이 가열되어 기체 상태로 변한다 .  이후는  Thermal Evaporator 의 과정과 비슷하다 .  증착시려는 물질은 기체 상태가 되어 챔버 내에서 분산되며 날아간다 .  이 기체의 물질은 기판까지 날아가다가 기판의 차가운 표면에 닿는다 .  그러면 기체의 물질은 기판의 표면에서 고체로 응축되어 박막이 만들어진다 . PVD 관련 자료 링크 Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법 Thermal Evaporator(열진공증착법) Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법) CVD 관련 자료 링크 Che...

Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법    Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법 을 알려면  Sputtering  현상을 먼저 알아야 한다.   Sputtering  현상이란  DC 플라스마 등에서 생성된 에너지를 갖은 이온이나 원자가 물질에 부딪치면 부딪힌 부분 주변의 원자들에게 에너지가 전달된다 .  이 전달되는 에너지가 부딪힌 물질 원자들 간의 결합력보다 크면 일부의 원자가 결합을 끊고 튕겨져 나가게 된다 .  이 현상이  Sputtering  현상이다 .  이 튕겨져 나간 원자들이 기판까지 날아가 붙으면서 증착이 이루어지면 이 것이  Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법이다.  Sputtering 과 진공증착과 많은 차이가 있는데 가장 큰 차이가 증착시키는 물질에 운동량을 직접적으로 준다는 것이다 .   장점으로는 박막의 생성 속도가 여러 종류의 금속에 대해 거의 일정하다는 것과 전류량과 박막두께가 거의 정비례하므로 조절이 쉽다는 것이다 .  또한  재료가 되는 원자들이 강하게 기판에 부딪혀 증착되기 때문에 박막의 밀착강도가 높다.  단점으로는 사용 가능한 물질이 금속에 한정적인 것이다 . PVD 관련 자료 링크 Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법 Thermal Evaporator(열진공증착법) Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법) CVD 관련 자료 링크 Chemical Vapor Deposition(CVD, 화학증착법) If there's something wrong, please comment. 사용하시는 기종에 따라 블로그 내용이 잘리거나 겹쳐서 보일 수 있습니다 .  문제가 있으시다면 댓글 부탁드립니다....