Chemical Vapor Deposition(CVD, 화학증착법) CVD(Chemical Vapor Deposition) 는 기판을 만들려는 물질이 기화되어 기판 표면에서 화학반응을 일으켜 고체 생성물인 박막을 얻는 공정이다 . 물질이 기체 상태의 가스로 주입이 되고 확산을 통해 기판 위로 날라간다. 그 후 기판 표면에서 화학반응을 일으켜 박막이 생성된다. 화학반응 후 나오는 기체들을 확산을 통해 다시 빠져나간다. 약 1000 ℃ 정도의 고온에서 이루어진다 . 이 방법은 접착력이 우수해 복잡한 형태의 기판에 사용이 가능하다 . 또한 균일하게 증착이 되고 고순도 물질의 박막을 만들 수 있다 . 또한 국부적인 증착도 가능해 자신의 원하는 기판의 부위에 박막을 만들 수 있다 . 이러한 점들 덕분에 현재 반도체 제조법에서 가장 유용하게 쓰인다 . 그리고 다양한 재료에 적용이 가능하고 , 박막의 성분 조절이 가능하다 . 하지만 단점으로는 코팅 반응에 대한 접착기판의 안정도를 고려해야 한다 . 또한 기판과 증착하려는 물질간의 열팽창계수 차이를 고려해야한다 . 그리고 부산물의 독성과 부식성을 해결하는데 비용이 많이 든다 . PVD 관련 자료 링크 Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법 Thermal Evaporator(열진공증착법) Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법) CVD 관련 자료 링크 Chemical Vapor Deposition(CVD, 화학증착법) If there's something wrong, please comment. 사용하시는 기종에 따라 블로그 내용이 잘리거나 겹쳐서 보일 수 있습니다 . 문제가 있으시다면 댓글 부탁드...
댓글
댓글 쓰기