Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법) Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법 ) 은 Electronic-Beam을 이용하여 증발원을 가열시켜 증착시키는 방법이다. 기판을 만들려는 물질의 용융점이 넓은 경우에 많이 사용된다 . 용융점이 넓은 물질로는 W, Nb, Si 가 있다 . 장점으로는 물질 표면만 용해가 일어나므로 효율이 높고 오염이 적다 . 또한 용융점이 높은 금속에 적합하다 . 그리고 전자빔의 세기가 강하면 증착되는 속도가 빨라진다는 것이고, 다른 증착법과 비교해 높은 순도 박막이 만들어진다는 것이다 . 단점으로는 X-ray 가 발생한다는 것과 와류와 방전이 심하다는 것이다 . Electronic-Beam Evaporator의 증착 순서는 우선 필라멘트(주로 W로 되어있음)에 강한 전류를 공급한다 . 그러면 필라멘트에서 전자 빔이 나오기 시작한다. 필라멘트에서 나오는 전자 빔을 전자석에 의한 자기장으로 유도하고 , 증착하려는 물질에 위치시키면 집중적인 전자의 충돌로 증착시키려는 물질이 가열되어 기체 상태로 변한다 . 이후는 Thermal Evaporator 의 과정과 비슷하다 . 증착시려는 물질은 기체 상태가 되어 챔버 내에서 분산되며 날아간다 . 이 기체의 물질은 기판까지 날아가다가 기판의 차가운 표면에 닿는다 . 그러면 기체의 물질은 기판의 표면에서 고체로 응축되어 박막이 만들어진다 . PVD 관련 자료 링크 Sputtering(스퍼터링) 진공 증착법 Thermal Evaporator(열진공증착법) Electronic-Beam Evaporator(E-Beam 진공증착법) CVD 관련 자료 링크 Che...
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